长江存储在 3D NAND 领域领先三星、美光的挑战

长江存储在 3D NAND 领域领先三星、美光的挑战

据行业分析师称，中国长江存储科技有限公司 (YMTC) 凭借全球首个 200 层以上的 3D NAND 闪存对三星和美光等更大竞争对手的新领先优势可能会瓦解。

根据研究公司TechInsights的一份报告，初创内存制造商长江存储已超越竞争对手。分析师表示，该公司不太可能保持领先地位。在 2016 年成立仅两年后，长江存储就宣布了其 Xtacking 技术，在该技术下，处理数据 I/O 的外围电路以及存储单元操作都在一个硅晶圆上处理。然后，完成的阵列晶圆通过数十亿个金属通孔与另一个包含存储单元的晶圆连接。

Objective Analysis 的分析师 Jim Handy 表示，长江存储成本高昂的技术领先优势使得该公司难以实现盈利，并增加了对中国政府支持的依赖。“我一直想知道构建在两个晶圆上的东西如何与构建在单个晶圆上的相同芯片尺寸的东西竞争，”Handy说。“鉴于长江存储不需要盈利，这可能会奏效一段时间。”

他补充说，作为国内半导体行业的龙头企业之一，长江存储可能会继续获得中国政府的补贴。

分析师在他们的报告中表示，长江存储几乎不可能保持其步伐：“前沿的研发成本不是线性的；随着技术的进步，研发成本会成倍增加以达到下一代。长江存储没有产生足够的收入来支持不断增加的开发成本。”

分析师表示，在与美国的技术战争限制长江存储获得先进半导体工具的过程中，这家中国公司还将面临专利纠纷和制裁，严重阻碍了该公司的发展。

“我预计美国和中国之间的某个时候会出现专利法对峙，”Handy 说。“长江存储面临的另一个挑战是，他们必须阻止他们的芯片进入美国，以避免专利诉讼。专利法对‘制造、使用或销售’侵犯专利产品的公司进行监管，因此在美国销售使用侵权芯片的系统的长江存储客户可能会受到专利诉讼。”

据 Handy 称，长江存储及其竞争对手正在争夺价值 550 亿美元的 3D NAND 市场的大部分份额。在中国组装的智能手机是使用NAND闪存的主要产品之一。中国拥有世界上最大的智能手机市场，也为苹果和三星组装手机。

两年多前，美国政府以国家安全为由制裁中国电子巨头华为和中芯国际，以削弱美国在 5G 和人工智能领域的领先地位。这引发了美国和中国之间建立独立半导体供应链的新竞争。美国在芯片生产设备、材料和EDA工具方面仍然占据主导地位，并利用这些优势限制了中国在半导体领域的增长。

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