3nm晶圆厂竞赛：据报道三星接近终点线

3nm晶圆厂竞赛：据报道三星接近终点线 

就在台积电在公司 2022 年北美技术研讨会上提供其 3 纳米工艺节点的详细信息几天后，有报道称晶圆厂的主要竞争对手三星本周开始其基于 3 纳米的芯片制造。台积电计划在今年年底开始生产 3 纳米。

值得注意的是，虽然台积电的 3-nm 节点基于 FinFET 技术，但三星正在为这种工艺几何转向采用环栅 (GAA)技术。GAA 设计允许晶圆厂在不损害其承载电流的能力的情况下缩小晶体管尺寸。另一方面，台积电的 FinFET 架构（称为FinFlex）使芯片设计人员能够实现各种鳍配置，以满足性能、功率和裸片尺寸目标。

图 1三星的 3 纳米工艺节点是围绕 GAA 技术构建的，三星称之为多桥通道 FET 或 MCBFET。资料来源：三星

       另外值得注意的是，美国总统拜登最近访问了三星在 Pyenogtaek 的制造工厂，观看了 3 纳米的演示。行业观察人士认为，三星可能会在新的 3 纳米节点上制造其 Exynos 2300 芯片，这些芯片将为部分 Galaxy S23 智能手机变体提供动力。

图 2美国总统乔拜登参观了三星在平泽附近的旗舰半导体制造工厂，观看了 3 纳米制造技术演示

       行业观察家还将密切关注以 3 纳米几何形状制造的新芯片的良率，尤其是当三星的 4 纳米节点存在多个良率问题时。根据行业报告，三星预计其 3-nm 节点与 5-nm 制造工艺相比，将带来 35% 的裸片面积减少、30% 的性能提升和 50% 的功耗降低。

       三星在 3 纳米技术上处于领先地位是一个有趣的发展，因为根据市场研究公司 Gartner 的数据，台积电在 7 纳米和 5 纳米节点上占据了主导市场份额。三星是否会比台积电早一点开始制造 3 纳米芯片，从而获得显着收益，这也将是一件有趣的事情。

深圳市晶光华电子有限公司  26年专注提供一站式晶振产品解决方案，产品主要有SMD石英晶振、  车规晶振 、  SMD振荡器等。晶光华始终坚持以品质为基石，品质符合国际IEC和美国ANSI标准。为了满足客户的高标准需求，我司积极整合供应链，真正服务每一位品质客户。